半導体デバイスの製造工程は一般に前工程と後工程とに分けられます。
前工程とは、結晶成長、リソグラフィ、エッチング、絶縁物堆積、金属蒸着などのプロセスの繰返しにより基板上に素子群を形成する工程です。

後工程とは、その基板をペレタイズ（チップ化）、ボンディング、樹脂封止（パッケージ化）により製品とする工程です。

（株）パウデックは窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス製造の前工程の中のＧａＮ結晶成長工程を受持ちます。所謂、GaNのエピファウンドリーサービスを行います。

（株）パウデックは100mm口径の多数枚載置、窒化物半導体MOCVD装置を独自に開発しました。
パウデックはカスタマーとの緊密な連携の下に、GaN, AlGaN, GaInN, AlGaInNを含む各種デバイス構造の開発製造を行います。