独自の技術力で各種デバイス構造を開発・製造
パウデックは独自設計のフェースダウンの多数枚チャージMOCVD装置を保有し、2インチ～6インチまでの結晶成長を行うことができます。お客様との密接な連携のもとに、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaNを含む各種デバイス構造の開発および製造を承ります。
パウデックの事業領域
パウデックは、結晶成長からデバイスの開発および製造まで、お客様のご要望に合わせたスタイルでサポートさせて頂きます。
R&D
- 2017年3月16日
- 2017年春季応用物理学会学術講演会（ポスター）
- 2016年3月21日
- 2016年春季応用物理学会学術講演会（予稿）
- 2016年3月20日
- 2016年春季応用物理学会学術講演会（ポスター）
- 2015年3月20日
- 2015年春季応用物理学会学術講演会（ポスター）
- 2014年9月19日
- 2014年秋季応用物理学会学術講演会発表（ポスター）
- 2014年9月19日
- 2014年秋季応用物理学会学術講演会発表（予稿）
- 2014年3月18日
- 2014年春季応用物理学会学術講演会発表（ポスター）
- 2014年2月12日
- 2014年春季応用物理学会学術講演会発表（予稿）
チュートリアル
- 2014年2月14日
- 分極スーパージャンクションFET
事業内容
