お知らせ一覧
- 2022年12月19日
- 既存製品の１００倍も高速で連続動作可能な８kWの大電力制御モジュールを豊田合成株式会社と共同開発しました。
- 2022年10月13日
- リリース情報 AlNテンプレートを製品ラインアップに追加しました。（サファイア基板上のAlNエピ基板）
- 2022年4月5日
- 「第69回応用物理学会春季学術講演会」にて、「ノーマリーオフ GaN-PSJ FET」を発表しました。
- 2021年6月24日
- 「第7回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会」にて「サファイア上GaN-PSJパワー素子の開発状況と課題」を発表しました。
- 2020年3月13日
- 「第67回応用物理学会春季学術講演会」にて、「6.6 kV 級ノーマリーオフ GaN-PSJ FET」を発表しました。
- 2019年3月14日
- 「省エネルギー社会に貢献するＧａＮ材料の将来と、そのキープロセス技術」にて、「GaN PSJ（分極超接合）素子」を発表しました。
- 2018年9月18日
- 「第79回応用物理学会秋季学術講演会」にて、「1.2 kV級ノーマリーオフGaN-PSJ FET」を発表しました。
- 2018年3月17日
- 「第65回応用物理学会春季学術講演会」にて、「耐圧10kV超GaN-PSJ FETと 8kV超GaN-PSJ Schottky Barrier Diode」を発表しました。
- 2017年3月16日
- 「第64回応用物理学会春季学術講演会」にて、「サファイア基板上1200 V GaN分極超接合（PSJ）ダイオード」、「サファイア基板上GaN分極超接合（PSJ）FETを用いた1200 V/100 A級モジュール」、 「サファイア基板上 GaN 分極超接合（PSJ）素子を用いた降圧コンバータ」の3件を発表しました。
「サファイア基板上1200 V GaN分極超接合（PSJ）ダイオード」にて、PosterAwardを受賞しました。 - 2016年3月21日
- 「第63回応用物理学会春季学術講演会」にて、「カスコード接続したサファイア基板上GaN PSJ（分極超接合）トランジスタの1,000 Vスイッチング特性」 を発表しました。
- 2016年3月20日
- 「第63回応用物理学会春季学術講演会」にて、「大口径対向縦型MOCVD炉によるGaN/AlGaN/GaNへテロエピ成長」を発表しました。
この発表にてPosterAwardを受賞しました。
- 2015年8月10日
- [Newsrelease] GaNパワートランジスタ、定格1,200V 級、超低コスト化に成功。GaNトランジスタがSi-IGBTの中電圧領域に進出可能であることを示しました。
- 2015年3月20日
- 「第62回応用物理学会春季学術講演会」にて、GaN-PSJトランジスタの連続通電特性およびノーマリーオフ化の報告を行いました。
- 2015年2月13日
- 「第62回応用物理学会春季学術講演会」にて、「サファイア基板上GaN PSJトランジスタの連続通電特性(13p-P17-9)」および「ノーマリーオフGaN-PSJトランジスタ(13p-P17-10)」の報告を行います。
- 2014年11月7日
- 2014/11/19 - 2014/11/21 に東京ビッグサイトにて行われる「新価値創造展2014 H!NT」の独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）様 ブース(P-023)に出展します。
- 2014年9月19日
- 2014年秋季応用物理学会学術講演会で、「サファイア基板上GaN PSJ（分極超接合）トランジスタの600 Vスイッチング特性」を発表しました。
- 2013年10月3日
- 弊社は、新構造分極スーパージャンクション・窒化ガリウムパワートランジスタの実用化に目途をつけました。
- 2012年10月15日
- 弊社社長河合弘治が、11月2日開催の応用物理学会応用電子物性分科会主催の研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの進展」において、「GaNパワー素子の現状と可能性」と題し講演を行いました。
- 2012年2月24日
- 次世代窒化ガリウム6kV超高耐圧パワートランジスタの開発
- 2012年2月16日
- 弊社紹介記事：POWER Dev' 1月号に、弊社と新型HFET(分極接合ヘテロ構造・電界効果トランジスタ)が紹介されました。
- 2012年1月5日
- 2011年11月8日開催の日経エレクトロニクス主催のセミナーにおける弊社社長の講演「GaNパワーデバイス -新技術により低コスト化を目指す-」の資料をご覧いただけます。
- 2011年10月21日
- 弊社社長河合が、11月8日開催の日経エレクトロニクス主催のセミナー「躍進するGaN系パワー素子、いざ次世代の本命へ」において、「GaNパワーデバイス -新技術により低コスト化を目指す-」と題して講演をします。
- 2011年8月22日
- 弊社紹介記事：日経エレクトロニクス8月22日号に「GaN系パワー半導体 いざ次世代の本命へ」の記事の中で、パウデックが「耐圧600V級のトランジスタとダイオードを2013年前後に製品化」として、紹介されました。
- 2011年6月1日
- 弊社、平成23年度栃木県フロンティア企業に認証されました。
- 2011年5月16日
- 弊社紹介記事： 日経エレクトロニクス5月16日号に「SiCに迫るGaNパワー素子トランジスタで耐圧1kV超」として、スーパーHFETが紹介されました。
- 2011年5月15日
- 弊社はお陰様で会社創立10周年を迎えました。GaNで画期的な商品を作っていきます。今後ともよろしくお願いします。
- 2011年3月29日
- Compound Semiconductor電子版3月28日号に低電力損失、高耐圧、小電流コラプスの弊社GaN-HFETの紹介記事が紹介されました。
- 2011年3月25日
- 新聞発表：
新構造GaNトランジスタの開発に成功。(低損失、高耐圧、無電流コラプス) - 2011年3月22日
- 分極接合による高耐圧スーパー・ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)の開発に成功。
- 2011年3月15日
- 東北地方太平洋沖地震（東北関東大震災）の被災地の皆様には心よりお見舞い申し上げます。
弊社は通常通り業務を行っています。
なお、東京電力による計画停電の影響で電話がつながりにくくなっています。 - 2010年12月
- 英国シェフィールド大学との共同開発により窒化ガリウム系ヘテロ構造における高濃度2次元正孔ガス発生に成功。
- 2010年11月
- 新構造パワーダイオードの開発に成功。
新聞発表しました。 - 2010年6月
- ホームページをリニューアルしました。
- 2010年4月
- 生産拠点を栃木県小山市に集結しました。
- 2009年12月
- ものづくり中小企業製品開発等支援開発が認定されました。
- 2009年3月
- NEDOイノベーション実用化開発費助成事業を開始しました。
- 2008年10月
- カットオフ波長210～400nmの波長域に対応するAlInGaN-UVセンサーエピ技術を開発しました。
- 2007年12月
- 当社は、古河機械金属株式会社と資本・業務提携を締結しました。
- 2007年12月
- 当社は、資本金を7億6千8百万円に増額しました。
- 2007年3月
- NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)・イノベーション実用化開発費助成成研究事業を開始しました。
- 2006年8月
- NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)・産業技術実用化開発費助成研究事業を開始しました。
- 2005年9月
- TWHM-5(Topical Workshop on Heterostructure and Microelectronics, 淡路島)にf100mm AlGaN/GaN on Si基板 HEMTを展示しました。
- 2005年8月
- JAXA(宇宙開発機構)オープンラボ共同研究を開始しました。
- 2004年12月
- 資本金を2億6,800万円に増額しました。
- 2004年8月
- 中小企業・ベンチャー挑戦支援事業・実用化研究開発事業の助成研究を開始しました。
- 2003年1月
- TWHM-3(Topical Workshop on Heterostructure and Microelectronics, 沖縄)にf100mm AlGaN/GaN HEMTを展示しました。
- 2002年8月
- 新技術開発事業団より開発助成金を授与されました。
- 2002年1月
- 神奈川県創造的中小企業事業活動に認定されました。
- 2001年12月
- 製造事業所を神奈川県茅ヶ崎市に開設しました。
- 2001年11月
- 株式会社アルバックと業務提携しました。
- 2001年5月
- 株式会社パウデックを資本金5,600万円にて設立しました。代表取締役 河合弘治
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