パウデックはカスタマーとの緊密な連携の下に、GaN, AlGaN, GaInN, AlGaInNを含む各種エピウエハ・デバイス構造の開発・製造を行います。
パウデックでは、以下のものは標準品で販売しております。
■サファイア基板上のGaNテンプレート
■サファイア基板上のGaN/AlGaN HEMT構造
この他、GaN基板上、SiC基板上のGaNの結晶成長を行うことができます。お客様のご要望に合わせて層構造を成長させることもできます。またLED、Laserなどの発光デバイスにも対応させていただきます。
パウデックは、分極スーパージャンクション（Polarization Superjunction)というデバイス構造を発明いたしました。この分極スーパージャンクションがあることで、従来のFETよりも高耐圧が可能となり、パワーエレクトロニクスのキーデバイスとなると確信しております。標準ではTO-247のパッケージでの供給になりますが、表面実装型のパッケージでの供給も可能です。このデバイスに興味を持たれて事業化を図りたいお客様に技術的なサポートをさせて頂きます。
製品情報
